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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
23.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En -138% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
4124
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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