Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 53

En 32% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1891 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns