Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

36 53

Por volta de 32% menor latência

Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.1 9.3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.0 7.0

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1891 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns