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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3583
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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