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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
34
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2677
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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