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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2916
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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