RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link