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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3014
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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