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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
34
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2979
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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