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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3637
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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