RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
34
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link