RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link