RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link