RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2846
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link