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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3447
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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