RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
47
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2793
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link