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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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Especificaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3532
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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