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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2416
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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