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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3694
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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