RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link