RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link