RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3099
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link