RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link