RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link