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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
27700
12800
En 2.16 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
27700
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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