RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link