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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3437
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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