RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2361
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link