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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2482
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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