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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
75
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
75
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
1590
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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