RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
75
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
1590
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link