RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
2313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link