Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 29
    En -4% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.4 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 13.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 9.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2177 left arrow 2381
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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