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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2381
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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