RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
59
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
9.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link