RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
59
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link