RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
59
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link