RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link