RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link