RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link