RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link