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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
3842
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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