RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3842
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link