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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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