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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
19.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
60
En -131% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
26
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3840
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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