RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link