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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
104
En -225% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2017
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
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