RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
104
Por volta de -225% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2017
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
INTENSO M418039 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link