Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

总分
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
star star star star star
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    32 left arrow 104
    左右 -225% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    9.2 left arrow 3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    6.8 left arrow 2,404.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    104 left arrow 32
  • 读取速度,GB/s
    3,192.0 left arrow 9.2
  • 写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 6.8
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 2017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较