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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2654
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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