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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2650
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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